RFIC

在物联网产业中,射频技术不仅在先进通讯应用中扮演着关键角色,而且对于像能源采集和毫米波感测与信号传输等其他新兴领域也同样重要。上海微技术工研院的射频团队掌握有先进的工业开发和学术研究专业知识,有能力针对下一代系统和解决方案开发射频技术方案。目前射频研发领域包括:

  • 射频前端模块
  • 射频可调谐天线开关
  • 射频能源采集
  • 毫米波前端
  • 微波毫米波雷达

RF/MW Front End and System


研发能力与服务

工研院的研发重点是高度集成的高性能RF-SOI芯片,这类芯片的特点是线性性能出色、损耗低、切换电压高。在RF-SOI晶圆上可以实现更多数量的射频前端功能,包括开关、低噪声放大器、功率放大器和其他可调谐射频前端产品。工研院对于完整模拟前端模块的先进研发能力正在引领这一集成趋势。

工研院的射频研发团队拥有半导体材料、器件物理特性、模拟电路设计、射频电路设计和微波/MMW集成电路设计的专业知识。工研院实验室设施配备齐全,能进行晶圆级、芯片级和产品级射频和微波测试。


先进研发领域

工研院与全球RF-SOI晶圆领导者法国SOITEC公司以及上海新傲科技股份有限公司合作,共同开发了高品质的RF-SOI材料和技术,包括用于4G LTE手机的高性能射频收发开关。

工研院还在开发先进晶圆级芯片封装技术(WLCSP),以进一步减小封装尺寸和寄生效应,满足手机中对射频前端芯片的最小厚度要求。

借助与多家国内天线和手机解决方案提供商的合作,工研院已经开发出能够抵御高电压摆幅的射频可调谐天线开关。

通过与国内外多家制造商的密切合作,工研院还设计出微波毫米波雷达芯片,并促进其产业化,推向市场。

工研院开发的所有技术都可随时产业化,能迅速转化为量产制造。RFIC产品专注于消费类电子、汽车和工业市场。