氮化铝CSOI MPW 工艺加工平台介绍
本项目多晶圆氮化铝工艺加工平台，主要提供：
1.用一个带有空腔（深度≤15μm, 直径≤420μm）结构的SOI晶圆，做为衬底;
2.沉积0.2μm下层钼（Mo）电极，1μm氮化铝（AlN），0.15μm上层钼（Mo）电极做为压电叠层，实现不同的器件功能;
3.用1μm 铝铜（AlCu）作为导线;
4.用0.5μm二氧化硅（SiO2）做正面保护层（PAD）;
5.深槽蚀刻（可选），蚀刻掉氮化铝（AlN），下电极钼（Mo），顶硅，埋氧化层。
CSOI晶圆参数介绍
氮化铝(AlN)薄膜层参数介绍
工艺流程简介
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